Розділі підтримки на "11 п'ятирічний" національного 863 програма нових матеріалів проекту, інновації команда проекту "Високо ефективні нітрид світлодіодні матеріали та технології чіпа" провели китайські академії наук, інституту напівпровідників через технічні випромінювання і передачі, підготовки кадрів і Міжнародного обміну та співробітництва тощо, для досягнення впровадження передових технологій, травлення, поглинання і потім інновації, тим самим підвищення міжнародного підвищення конкурентоспроможності в Китаї напівпровідникової промисловості освітлення і сприяти реалізації в Китаї напівпровідникових освітлення проекту. Теми нещодавно пройшов прийняття.
"Інноваційні нітрид світлодіодні матеріалів і чіп ключові технології" інновації команди в навчання персоналу і команда будівлі та інших аспектів позитивного розвідки, через зміцнення науково -технічного команди Пітера Белоглавек, на введення декількох національних "тисячі людей план", китайський академії наук "сотні людей план видатні молоді"і"національних"переможець, підготовлених десятки молодих талантів, сформовані ста хрестів дисциплін з передній край розвідка здібності та інженерії, промислових тлі високого рівня напівпровідникових освітлення персоналу.
За значний попит на збереження та викидів скорочення споживання енергії в Китаї новаторської команди "Інноваційні нітрид світлодіодні матеріалів і чіп ключові технології" має вбудований повний гнучких напівпровідників освітлення процесу платформи від напівпровідників освітлення основні обладнання, матеріал розширення, чип розвитку до ефективного потужного упаковки і протестувати аналізу, гнучкі досліджень і розвитку спроможності та інженерних демонстрації можливостей.
Інновації команда також формується ряд незалежні інтелектуальну власність з важливі наукові результати і розроблені відповідні технічних стандартів. У Китаї перший прорив у нітрид основі напівпровідникових Епітаксійні матеріал росту і допінг, чіп структура дизайн і механізм перевірки, тестування і Тара та інших ключових технологій для досягнення більш, ніж 150lm / w під КЕРІВНИЦТВОМ світяться ефективності; успішно підготували Китаю перший 300nm наступних кімнатної температури флуоресцентне світло УФ UVLED пристроїв, і для досягнення мілліватт живлення пристрою виводу; розвинені спочатку 48 MOCVD прототип в Китаї, третя сторона, тестування, обладнання, нітрид Галію матеріал розширення, показники на рівень аналогічні міжнародні MOCVD обладнання.
Гарячі продукти:Панель світло-відкритий,Лінійні підвісні світильники,100W живлення високої bay,склад лампа,Матового об'єктив лінійних лампа,Бар лінійні підвісні освітлення світлодіодні
